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          賽貝克效應及其逆效應(熱電偶原理)

          更新時間:2018/4/18 15:57:07    閱讀:17584

          本文介紹了塞貝克效應、珀爾帖效應、湯姆遜效應。

          塞貝克效應(SEEBECK EFFECT)

          1821年,德國入賽貝克發(fā)現(xiàn)了當兩種不同的導體相連接時,如兩個連接點保持不同的溫度,則在導體中產(chǎn)一個溫差電動勢:

          V=a△T

          式中:V為溫差電動勢

          a為溫差電動勢率(賽貝克系數(shù))

          △T為接點之間的溫差

          1821年,賽貝克發(fā)現(xiàn),把兩種不同的金屬導體接成閉合電路時,如果把它的兩個接點分別置于溫度不同的兩個環(huán)境中,則電路中就會有電流產(chǎn)生。這一現(xiàn)象稱為塞貝克(Seebeck)效應,這樣的電路叫做溫差電偶,這種情況下產(chǎn)生電流的電動勢叫做溫差電動勢。例如,鐵與銅的冷接頭為1℃,熱接頭處為100℃,則有5.2毫伏的溫差電動勢產(chǎn)生。

          塞貝克效應用途很廣泛,在生產(chǎn)、科學研究及日常生活中溫差電偶常被用來測量溫度(如冶煉及熱處理爐的高溫)、輻射強度、電流等物理量。

          如果把若干個溫差電偶串聯(lián)起來,把奇數(shù)點接頭暴露于熱源,偶數(shù)接點固定在一個特定溫度環(huán)境中。這樣產(chǎn)生的電動勢等于各個電偶之和。這種裝置叫做溫差電堆。把奇數(shù)接頭涂黑,借以完全吸收外來的輻射(可見光、紅外線等),溫差堆的另一端(偶數(shù)接頭處)保持一定溫度,在輻射的作用下,涂黑的一端接收了輻射而溫度升高,從而產(chǎn)生溫差電動勢。

          建立起溫差電動勢與輻射強度的對應關系,那么就可以利用溫度差電堆來測量輻射強度。如果把這種裝置放在真空中,會提高它的靈敏度。

          如果把很多溫差電偶適當聯(lián)接起來,就能構成一個能產(chǎn)生幾伏特電動勢和幾安培電流的電池組。但是這種電池組的效率是很低的,溫差電池組是消耗熱能而產(chǎn)生電流的,其最高效率僅為0.1%,所以不能用來做電源,F(xiàn)代用半導體教材制成的溫差電偶的串聯(lián)起來,可以組成能供應較大電流和電壓的半導體溫差發(fā)電機,足夠滿足收音機和小型電子設備的需要,有很大實用價值。

          1834年帕耳貼(Peltier)發(fā)現(xiàn)了塞貝克效應的逆效應,當電流通過由兩種不同金屬相接而成的導體時,在兩種金屬導體上除了產(chǎn)生與電流方向完全無關的焦耳熱以外,還在接觸點發(fā)生與電流方向有關的熱量的放出或吸收。這種由于電流通過不同導體的接觸點而發(fā)生放熱或吸熱的現(xiàn)象稱為帕爾貼效應。用半導體制成的帕爾貼效應裝置具有廣闊的應用前景。把溫差電堆的冷接點放在冰箱內(nèi),熱接點放在箱外,并通過一定電流,則內(nèi)部冷接點吸收熱量再由外部熱點放出。這樣做成的致冷器可以獲得105℃的溫度差,而且具有耗電省,壽命長、易控制、無污染等優(yōu)點。如果使電流反向,結果則相反,外部接點變冷,內(nèi)部接點變熱。

          珀爾帖效應(PELTIER EFFECT)

          一八三四年法國人珀爾帖發(fā)現(xiàn)了與塞貝克效應的效應,即當電流流經(jīng)兩個不同導體形成的接點時,接點處會產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象,放熱或吸熱大小由電流的大小來決定。

          Qл=л.I л=aTc式中:Qπ 為放熱或吸熱功率

          π為比例系數(shù),稱為珀爾帖系數(shù)

          I為工作電流

          a為溫差電動勢率

          Tc為冷接點溫度

          湯姆遜效應 (THOMSON EFFECT)

          當電流流經(jīng)存在溫度梯度的導體時,除了由導體電阻產(chǎn)生的焦耳熱之外,導體還要放出或吸收熱量,在溫差為△T的導體兩點之間,其放熱量或吸熱量為:

          Qτ=τ.I.△T

          Qτ為放熱或吸熱功率

          τ為湯姆遜系數(shù)

          I為工作電流

          △T為溫度梯度

          以上的理論直到本世紀五十年代,蘇聯(lián)科學院半導體研究所約飛院士對半導體進行了大量研究,于一九五四年發(fā)表了研究成果,表明碲化鉍化合物固溶體有良好的致冷效果,這是最早的也是最重要的熱電半導體材料,至今還是溫差致冷中半導體材料的一種主要成份。

          約飛的理論得到實踐應用后,有眾多的學者進行研究到六十年代半導體致冷材料的優(yōu)值系數(shù),才達到相當水平,得到大規(guī)模的應用,也就是我們現(xiàn)在的半導體致冷器件。

          中國在半導體致冷技術開始于50年代末60年代初,當時在國際上也是比較早的研究單位之一,60年代中期,半導體材料的性能達到了國際水平,60年代末至80年代初是我國半導體致冷器技術發(fā)展的一個臺階。在此期間,一方面半導體致冷材料的優(yōu)值系數(shù)提高,另一方面拓寬其應用領域。中國科學院半導體研究所投入了大量的人力和物力,獲得了半導體致冷器,因而才有了現(xiàn)在的半導體致冷器的生產(chǎn)及其兩次產(chǎn)品的開發(fā)和應用。

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