在模擬式毫伏表中,輸出級(jí)通常是一個(gè)包括經(jīng)過(guò)整流二極管的非線(xiàn)性負(fù)反饋放大器,這種反饋的引入是為了使交流毫伏表盤(pán)的刻度線(xiàn)性化。在其他條件相同的情況下,度盤(pán)線(xiàn)性化程度越高,電壓整流器的初始非線(xiàn)性越小。
大家知道,減小初始非線(xiàn)性的方法之一是給整流二極管加上某個(gè)值的初始正偏壓。圖示電路即為采用這種方法的一個(gè)具體方案。放大器本身由晶體管VT1-VT3構(gòu)成。晶體管VT2和VT3實(shí)質(zhì)上構(gòu)成復(fù)合管。由于這種結(jié)構(gòu)具有較高的輸入阻抗,使前級(jí)增益得到了保證,這對(duì)毫伏表盤(pán)的線(xiàn)性化也是有利的。整流二極管VD2、VD3上的正向偏壓取自晶體管VT3集電極電路中串接的二極管VD1兩端,負(fù)反饋電壓加到晶體管VT1的發(fā)射級(jí)上。
對(duì)于圖示電路中元件參數(shù),當(dāng)輸入電壓為10mV時(shí)表頭滿(mǎn)度(精確值由電阻R4調(diào)定)。如果愛(ài)好者手頭只有100mA的表頭,為了達(dá)到同樣的靈敏度則要改變?cè)䥇?shù)。這時(shí)電阻R2應(yīng)為47Ω,R6--4.3KΩ,R7--1.4KΩ。本電路的輸入阻抗較低,因此,輸入分壓器應(yīng)采用低阻式的(總電阻不大于2KΩ)。電路的上限工作頻率不低于50KHZ。
本電路中所用的晶體管VT1~VT3可換用2AP9。